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2D NAND資訊

內(nèi)存價(jià)格邁入小時(shí)級(jí)波動(dòng)，中小廠商爭(zhēng)搶剩余貨源艱難求生

人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機(jī)，DRAM 市場(chǎng)被迫啟用 “小時(shí)級(jí)定價(jià)” 模式 —— 數(shù)萬家中小企業(yè)為生存展開激烈爭(zhēng)奪逾 19 萬家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》今日發(fā)布的報(bào)道，受人工智能需求激增引發(fā)...

內(nèi)存 DRAM 2026-03-04

NAND閃存供應(yīng)緊張群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預(yù)付貨款

NAND 閃存供應(yīng)商的經(jīng)營壓力，終于傳導(dǎo)至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預(yù)付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應(yīng)緊張帶來的壓力。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》亞洲版報(bào)道，群聯(lián)...

NAND 閃存 2026-03-03

三星終結(jié)2D NAND 時(shí)代戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時(shí)代高利潤賽道

當(dāng)三星在HBM4時(shí)代彎道超車，重新獲得英偉達(dá)的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 2026 年 2 月末，三星電子宣布將關(guān)停其韓國華城工廠 12 號(hào)線的 2D NAND ...

三星 HBM4 2026-03-02

存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高

據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價(jià)格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價(jià)格再次創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到13美元，而NAND閃存價(jià)格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRA...

存儲(chǔ)芯片 DRAM 2026-02-28

存儲(chǔ)價(jià)格將繼續(xù)上漲

隨著AI服務(wù)的進(jìn)步，需求不斷增長，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計(jì)今年內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢(shì)將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫存管理和緊張的供...

存儲(chǔ) NAND 2026-02-24

群聯(lián)預(yù)警：2026 NAND閃存短缺將沖擊消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)

群聯(lián)電子（Phison）首席執(zhí)行官潘健成（K.S. Pua Khein-Seng）發(fā)出警告，2026 年即將到來的 NAND 閃存短缺可能嚴(yán)重?cái)_亂甚至?xí)簳r(shí)中斷部分消費(fèi)電子供應(yīng)鏈。他在近期發(fā)言中指出，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能正日益向人...

群聯(lián) NAND 2026-02-24